探頭

光功率計（光強度計）選型指南

· 光電二管探頭: 這些探頭設計用于單色光源或近單色光源的功率測量，因為它們具有波長相關(guān)響應。這些探頭根據(jù)輸入光功率和波長輸出電流。電流輸入到跨阻放大器中，該放大器輸出一個正比于輸入電流的電壓。

· 熱功率探頭: 這些熱電堆探頭由在超寬波長范圍內(nèi)光譜響應相對平坦的材料制成，它們適用于寬帶光源（例如LED和SLD）的功率測量。熱功率探頭的輸出電壓與輸入光功率成正比。

· 熱釋電能量計探頭: 我們的熱釋電探頭通過熱釋電效應產(chǎn)生一個輸出電壓，適合測量脈沖光源，重復率被探測器的時間常數(shù)限制。這些探頭輸出與輸入脈沖能量成正比的峰值電壓。

1.1

光電二管功率探頭

Detector Type	Sensor Family	Applications	Item #	Wavelength	Energy or Power Range	Detector Type	Aperture	Response Time
探頭	標準探頭	General Purpose Power Measurements	S120VC	200 - 1100 nm	50 nW - 50 mW	Si	Ø9.5 mm	<1 µs^a
			S120C	400 - 1100 nm	50 nW - 50 mW		Ø9.5 mm
			S121C	400 - 1100 nm	500 nW - 500 mW		Ø9.5 mm
			S122C	700 - 1800 nm	50 nW - 40 mW	Ge	Ø9.5 mm
	細長探頭	Power Measurements in Tight Spaces	S130VC	200 - 1100 nm	Dual Range: 5 nW - 5 mW or 50 nW - 50 mW	Si Slim	Ø9.5 mm
			S130C	400 - 1100 nm	Dual Range: 500 pW - 5 mW or 100 µW - 500 mW	Si Slim	Ø9.5 mm
			S132C	700 - 1800 nm	Dual Range: 5 nW - 5 mW or 100 µW - 500 mW	Gi Slim	Ø9.5 mm
	顯微鏡探頭	Measure Power at the Sample Plane of a Microscope	S170C	350 - 1100 nm	10 nW - 150 mW	Si Large Area	18 mm x 18 mm
	積分球探頭	Power Measurements for High Powers and Divergent Beams	S140C	350 - 1100 nm	1 µW - 500 mW	Si Integrating	Ø5 mm
			S142C	350 - 1100 nm	5 µW - 5 W	Si Integrating	Ø12 mm
			S144C	800 - 1700 nm	100 nW - 500 mW	InGaAs Integrating	Ø5 mm
			S145C	800 - 1700 nm	1 µW - 3 W		Ø12 mm
			S146C	900 - 1650 nm	10 µW - 20 W		Ø12 mm
			S148C	1200 - 2500 nm	1 µW - 1 W		Ø5 mm
			S180C	2900 - 5500 nm	1 µW - 3 W	MCT (HgCdTe)	Ø7 mm
	光纖探頭	Fiber Power Measurements and Field Applications	S150C	350 - 1100 nm	100 pW - 5 mW	Si Fiber	Ø5 mm
			S151C	400 - 1100 nm	1 nW - 20 mW	Si Fiber	Ø5 mm
			S154C	800 - 1700 nm	100 pW - 3 mW	InGaAs Fiber	Ø5 mm
			S155C	800 - 1700 nm	1 nW - 20 mW	InGaAs Fiber

a. 光電二管探頭的響應時間。使用這些探頭的功率計的實際響應時間受到您的功率計表頭的更新頻率所限制。

1.2

熱功率探頭

Detector Type	Sensor Family	Applications	Item #	Wavelength	Energy or Power Range	Detector Type	Aperture	Response Time
熱功率探頭	寬范圍探頭	General Broadband Optical Power Measurements	S302C	190 nm - 25.0 µm	100 µW - 2 W	Stabilized Thermal Absorber	Ø12 mm	3 s^b
			S310C	190 nm - 25.0 µm	10 mW - 10 W	Thermal Surface Absorber	Ø20 mm	<1 s^b
			S314C	190 nm - 11.0 µm	10 mW - 40 W		Ø25 mm	<1 s^b
			S322C	250 nm - 11.0 µm	100 mW - 200 W		Ø25 mm	1 s^b
	小型探頭	Power Measurements in Tight Spaces	S305C	190 nm - 25.0 µm	10 mW - 5 W		Ø10 mm	<1 s^b
	高靈敏度探頭	Broadband Optical Power Measurements Down to 10 µW	S401C	190 nm - 20.6 µm	10 µW - 1 W (3W)^c	Stabilized Thermal Volume Absorber	Ø10 mm	<1 s^b
	顯微探頭	Measure Power at the Sample Plane of a Microscope	S175C	300 nm - 10.6 µm	100 µW - 2 W	Thermal Volume Absorber	18 mm x 18 mm	<2 s
	激光器熱探頭	Applications with High Peak Powers or YAG or Excimer Lasers	S350C	190 nm - 1.1 µm and 10.6 µm	10 mW - 40 W	Thermal Surface Absorber	Ø40 mm	1 s^b
			S370C	400 nm - 5200 nm	10 mW - 10 W	Thermal Volume Absorber	Ø25 mm	3 s^b
			S470C	250 nm - 10.6 µm	100 µW - 5 W	Thermal Volume Absorber	Ø15 mm	<2 s^b

a. 對于熱功率探頭，響應時間受探頭材料限制。熱功率探頭和功率計表頭設計成在探頭的單個時間常數(shù)之后就能確定入射功率。因此，相比于其它熱功率探頭，我們的C系列熱功率探頭具有相對短的響應時間。

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